Bipolartransistor 2SB595-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB595-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB595-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB595-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB595 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SB595-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB595-R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB595-Y-Transistor könnte nur mit "B595-Y" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB595-Y ist der 2SD525-Y.

SMD-Version des Transistors 2SB595-Y

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB595-Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB595-Y

Sie können den Transistor 2SB595-Y durch einen 2SB1016, 2SB1016-Y, 2SB1016A, 2SB1016A-Y, 2SB1367, 2SB1367-Y, 2SB995, 2SB995-Y, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, KTA1038, KTA1038-Y, KTA1049, KTA1049Y, KTB1367, KTB1367Y, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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