Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB562-B
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 170
Übergangsfrequenz, min: 350 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SB562-B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB562-B kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 170 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB562 liegt im Bereich von 85 bis 240, die des 2SB562-C im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB562-B-Transistor könnte nur mit "B562-B" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB562-B ist der 2SD468-B.