Bipolartransistor 2SB562-B

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB562-B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 170
  • Übergangsfrequenz, min: 350 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SB562-B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB562-B kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 170 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB562 liegt im Bereich von 85 bis 240, die des 2SB562-C im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB562-B-Transistor könnte nur mit "B562-B" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB562-B ist der 2SD468-B.

SMD-Version des Transistors 2SB562-B

Der 2SB766 (SOT-89), 2SB766-Q (SOT-89), BCP69 (SOT-223), BCP69-10 (SOT-223), BCX69 (SOT-89) und BCX69-10 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB562-B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB562-B

Sie können den Transistor 2SB562-B durch einen 2N4951, 2N4954, 2SA1534, 2SA1534-Q, 2SA683, 2SA683-Q, 2SB598, 2SB621, 2SB621-Q, 2SB621A, 2SB621A-Q, KSB564AC, KSB811 oder KTA1283 ersetzen.
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