Bipolartransistor 2SB766-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB766-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 170
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB766-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB766-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 170 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB766 liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SB766-R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SB766-S im Bereich von 170 bis 340.

Kennzeichnung

Der 2SB766-Q-Transistor ist als "AQ" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB766-Q ist der 2SD874-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB766-Q

Sie können den Transistor 2SB766-Q durch einen 2DA1213, 2SA1213, 2SB766A, 2SB766A-Q oder BCX51 ersetzen.
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