Bipolartransistor BCP69

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCP69

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 1.5 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 375
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des BCP69

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCP69 ist der BCP68.

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