Bipolartransistor 2SB621A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB621A-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 170
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SB621A-Q

Der 2SB621A-Q wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB621A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 170 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB621A liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SB621A-R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SB621A-S im Bereich von 170 bis 340.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB621A-Q-Transistor könnte nur mit "B621A-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB621A-Q ist der 2SD592A-Q.

SMD-Version des Transistors 2SB621A-Q

Der 2SA1182 (SOT-23), 2SA1588 (SOT-323), 2SB766 (SOT-89), 2SB766-Q (SOT-89), FJX1182 (SOT-323), KSA1182 (SOT-23), KTA1505 (SOT-23) und KTA1505S (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB621A-Q-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB621A-Q

Sie können den Transistor 2SB621A-Q durch einen 2N4951, 2N4954, 2SA1020, 2SA1534, 2SA1534-Q, 2SA1534A, 2SA1534A-Q, 2SA683, 2SA683-Q, 2SA684, 2SA684-Q, 2SB598, 2SB621, 2SB621-Q, 2SB764, KSB564AC, KSB811, KTA1281, KTA1283 oder KTB764 ersetzen.
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