Bipolartransistor 2N4951
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4951
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
- Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2N4951
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N4951
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