Bipolartransistor 2N4951

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4951

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2N4951

Der 2N4951 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N4951

Sie können den Transistor 2N4951 durch einen 2N4954, 2SA1283, 2SB764, KTA708 oder KTB764 ersetzen.
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