Bipolartransistor 2SB1251-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -90 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 5000 bis 15000
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1251-P kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 15000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1251 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SB1251-Q im Bereich von 8000 bis 30000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1251-P-Transistor könnte nur mit "B1251-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1251-P ist der 2SD1891-P.Sie können den Transistor 2SB1251-P durch einen 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1481, 2SB1626, 2SB601, 2SB601-K, 2SB673, 2SB885, 2SB886, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BD954, BD956, BDT60B, BDT60C, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54C, BDW54D, BDW64C, BDW64D, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP127, TIP127G, TIP137, TIP137G, TIP147T oder TTB1020B ersetzen.