Bipolartransistor 2SB1251

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -90 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 5000 bis 30000
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1251 kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1251-P liegt im Bereich von 5000 bis 15000, die des 2SB1251-Q im Bereich von 8000 bis 30000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1251-Transistor könnte nur mit "B1251" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1251 ist der 2SD1891.Sie können den Transistor 2SB1251 durch einen 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1481, 2SB1626, 2SB885, 2SB886, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BD954, BD956, BDT60B, BDT60C, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP127, TIP127G oder TIP147T ersetzen.