Bipolartransistor 2SB601-K

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB601-K

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB601-K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB601-K kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 15000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB601 liegt im Bereich von 2000 bis 15000, die des 2SB601-L im Bereich von 3000 bis 7000, die des 2SB601-M im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB601-K-Transistor könnte nur mit "B601-K" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB601-K ist der 2SD560-KB.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB601-K

Sie können den Transistor 2SB601-K durch einen 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1626, 2SB673, 2SB885, 2SB886, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BD954, BD956, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW64C, BDW64D, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP127, TIP127G, TIP137, TIP137G, TIP147T oder TTB1020B ersetzen.
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