Bipolartransistor 2SA1962O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1962O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -17 A
  • Verlustleistung, max: 130 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SA1962O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1962O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1962 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SA1962R im Bereich von 55 bis 110.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1962O-Transistor könnte nur mit "A1962O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1962O ist der 2SC5242O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1962O

Sie können den Transistor 2SA1962O durch einen FJA4213, FJA4213O, FJL4215 oder FJL4215O ersetzen.
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