Bipolartransistor FJA4213O

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJA4213O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -17 A
  • Verlustleistung, max: 130 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des FJA4213O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJA4213O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJA4213 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des FJA4213R im Bereich von 55 bis 110.

Kennzeichnung

Der FJA4213O-Transistor ist als "J4213O" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FJA4213O ist der FJA4313O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJA4213O

Sie können den Transistor FJA4213O durch einen 2SA1962, 2SA1962O, FJL4215 oder FJL4215O ersetzen.
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