Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1682-T
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SD1682-T
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1682-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1682 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SD1682-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1682-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1682-U im Bereich von 280 bis 560.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1682-T-Transistor könnte nur mit "D1682-T" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1682-T ist der 2SB1142-T.
SMD-Version des Transistors 2SD1682-T
Der 2SD1623 (SOT-89) und 2SD1623-T (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SD1682-T-Transistors.
