Bipolartransistor 2SB1124-T

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1124-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1124 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1124-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1124-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1124-U im Bereich von 280 bis 560.Der 2SB1124-T-Transistor ist als "BGT" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1124-T ist der 2SD1624-T.Sie können den Transistor 2SB1124-T durch einen 2STF2360 ersetzen.