Bipolartransistor 2SB1115A-YP
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1115A-YP
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-89
Pinbelegung des 2SB1115A-YP
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1115A-YP
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