Bipolartransistor 2SB1115A-YP

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1115A-YP

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB1115A-YP

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1115A-YP kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1115A liegt im Bereich von 135 bis 400, die des 2SB1115A-YQ im Bereich von 135 bis 270.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1115A-YP-Transistor könnte nur mit "B1115A-YP" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1115A-YP

Sie können den Transistor 2SB1115A-YP durch einen 2STF2360 ersetzen.
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