Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA929-F
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA929-F
Der 2SA929-F wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA929-F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA929 liegt im Bereich von 160 bis 960, die des 2SA929-G im Bereich von 280 bis 560, die des 2SA929-H im Bereich von 480 bis 960.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA929-F-Transistor könnte nur mit "A929-F" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA929-F ist der 2SC1570-F.
