Bipolartransistor NTE383

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der NTE383 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE383 ist der NTE382.Der 2SB806 (SOT-89) und 2SD1007 (SOT-89) ist die SMD-Version des NTE383-Transistors.Sie können den Transistor NTE383 durch einen 2SA1275, 2SA1275-Y, KSA1013, KSA1013Y, KTA1275 oder KTA1275Y ersetzen.