Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA913A-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 220
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SA913A-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA913A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA913A liegt im Bereich von 65 bis 330, die des 2SA913A-P im Bereich von 65 bis 110, die des 2SA913A-Q im Bereich von 90 bis 155, die des 2SA913A-S im Bereich von 185 bis 330.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA913A-R-Transistor könnte nur mit "A913A-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA913A-R ist der 2SC1913A-R.
SMD-Version des Transistors 2SA913A-R
Der KST93 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA913A-R-Transistors.