Bipolartransistor 2SA1306B-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1306B-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SA1306B-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1306B-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1306B liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SA1306B-O im Bereich von 70 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1306B-Y-Transistor könnte nur mit "A1306B-Y" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1306B-Y

Sie können den Transistor 2SA1306B-Y durch einen 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1668, 2SA968B, 2SA968BY, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.
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