Bipolartransistor 2SA1370-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1370-E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SA1370-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1370-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1370 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SA1370-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA1370-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1370-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1370-E-Transistor könnte nur mit "A1370-E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1370-E ist der 2SC3467-E.

SMD-Version des Transistors 2SA1370-E

Der BF623 (SOT-89) und BF823 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1370-E-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1370-E

Sie können den Transistor 2SA1370-E durch einen 2SA1371, 2SA1371-E, 2SA1624, 2SA1624-E, 2SA1625, 2SA1625-K, KSA1625, KSA1625-K, KTA1277, KTA1277Y oder KTA1279 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com