Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1370-E
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 1 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SA1370-E
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1370-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1370 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SA1370-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA1370-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1370-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1370-E-Transistor könnte nur mit "A1370-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1370-E ist der 2SC3467-E.
SMD-Version des Transistors 2SA1370-E
Der BF623 (SOT-89) und BF823 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1370-E-Transistors.
