Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1624-E
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1624-E
Der 2SA1624-E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1624-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1624 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SA1624-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1624-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1624-E-Transistor könnte nur mit "A1624-E" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SA1624-E
Der BF621 (SOT-89), BF821 (SOT-23) und PMBTA92 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1624-E-Transistors.
