Bipolartransistor 2SA1208-T

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1208-T

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.07 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SA1208-T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1208-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1208 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SA1208-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1208-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1208-T-Transistor könnte nur mit "A1208-T" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1208-T ist der 2SC2910-T.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1208-T

Sie können den Transistor 2SA1208-T durch einen 2SA1207, 2SA1207-T, 2SA1319, 2SA1319-T, 2SA1376, 2SA1376-K, 2SA1376A, 2SA1376A-K oder KTA1279 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com