Bipolartransistor 2SA1767R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1767R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.07 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA1767R

Der 2SA1767R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1767R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1767 liegt im Bereich von 60 bis 220, die des 2SA1767Q im Bereich von 60 bis 150.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1767R-Transistor könnte nur mit "A1767R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1767R ist der 2SC1473AR.

SMD-Version des Transistors 2SA1767R

Der BF621 (SOT-89) und BF821 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1767R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1767R

Sie können den Transistor 2SA1767R durch einen 2SA1371, 2SA1624 oder KTA1279 ersetzen.
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