Bipolartransistor 2SB1221

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1221

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.07 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SB1221

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1221 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1221-Q liegt im Bereich von 60 bis 150, die des 2SB1221-R im Bereich von 100 bis 220.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1221-Transistor könnte nur mit "B1221" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1221 ist der 2SC3941.

SMD-Version des Transistors 2SB1221

Der BF623 (SOT-89) und BF823 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB1221-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1221

Sie können den Transistor 2SB1221 durch einen 2SA1018, 2SA1370, 2SA1371, 2SA1624, 2SA1767, 2SA879 oder KTA1279 ersetzen.
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