Bipolartransistor 2SA1008

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1008

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SA1008

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1008 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1008K liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1008L im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1008M im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1008-Transistor könnte nur mit "A1008" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1008 ist der 2SC2331.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1008

Sie können den Transistor 2SA1008 durch einen 2SA1010, 2SB1016, 2SB1090, 2SB1367, 2SB546, 2SB546A, 2SB547, 2SB595, 2SB630, 2SB703A, 2SB995, BD240C, BD242C, BD244C, BD540C, BD802, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSB546, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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