Transistor bipolaire S8550B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 85 à 160
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le S8550B est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor S8550B peut avoir un gain en courant continu de 85 à 160. Le gain en courant continu du S8550 est compris entre 85 à 300, celui du S8550C entre 120 à 200, celui du S8550D entre 160 à 300.Le transistor NPN complémentaire du S8550B est le S8050B.Vous pouvez remplacer le transistor S8550B par 2SB564A, KSB564A, KTC9012, M8550, M8550-B, MPS3702, MPS6535, MPS6562, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550B, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, S9012, SS8550 ou SS8550B.