Caractéristiques électriques du transistor MPSW06G
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 4 V
Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
Dissipation de puissance maximum: 1 W
Gain de courant (hfe): 60
Fréquence de transition minimum: 50 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Le MPSW06G est la version sans plomb du transistor MPSW06
Brochage du MPSW06G
Le MPSW06G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW06G
Le transistor PNP complémentaire du MPSW06G est le MPSW56G.