Transistor bipolaire MPSW06G

Caractéristiques électriques du transistor MPSW06G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 4 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 60
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPSW06G est la version sans plomb du transistor MPSW06

Brochage du MPSW06G

Le MPSW06G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSW06G

Le transistor PNP complémentaire du MPSW06G est le MPSW56G.

Version SMD du transistor MPSW06G

Le 2SC2882 (SOT-89), 2SC2882-O (SOT-89), 2SC2882-Y (SOT-89), 2SC3438-D (SOT-89), 2SC3438-E (SOT-89), 2SC4209 (SOT-23), 2SC4209-O (SOT-23), 2SC4209-Y (SOT-23), KTC4374 (SOT-89), KTC4374O (SOT-89), KTC4374Y (SOT-89), MMBTA06 (SOT-23), PMBTA06 (SOT-23), PZTA06 (SOT-223) et SMBTA06 (SOT-23) est la version SMD du transistor MPSW06G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW06G

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW06G par 2N5550, 2N5551, 2N5551G, 2N5551Y, 2N5830, 2N5831, 2SC1009G, 2SC1009O, 2SC1009Y, BC538-10, BC538-16, BC538-25, KSC1009G, KSC1009O, KSC1009Y, KSP8099, MPS8099, MPS8099G, MPSA06, MPSA06G, MPSA28, MPSA28G, MPSA29, MPSA29G, MPSW06, NTE194, PN4033, ZTX454, ZTX455 ou ZTX694B.
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