Transistor bipolaire 2N5551G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 180 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 250
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Figure de bruit maximum: 8 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Le 2N5551G est la version sans plomb du transistor 2N5551

Le 2N5551G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), KST43 (SOT-23), KST5551 (SOT-23), MMBT5551 (SOT-23) et PMBT5551 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5551G.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5551G par 2N5551, 2N5833 ou NTE194.