Caractéristiques électriques du transistor 2SC1009O
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
Tension collecteur-base maximum: 160 V
Tension émetteur-base maximum: 8 V
Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
Gain de courant (hfe): 70 à 140
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SC1009O
Le 2SC1009O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SC1009O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SC1009 est compris entre 40 à 400, celui du 2SC1009G entre 200 à 400, celui du 2SC1009R entre 40 à 80, celui du 2SC1009Y entre 120 à 240.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC1009O peut n'être marqué que C1009O.
Complémentaire du transistor 2SC1009O
Le transistor PNP complémentaire du 2SC1009O est le 2SA709O.
Version SMD du transistor 2SC1009O
Le KST5550 (SOT-23) et MMBT5550 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SC1009O.