Transistor bipolaire 2N5550

Caractéristiques électriques du transistor 2N5550

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N5550

Le 2N5550 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5550

Le transistor PNP complémentaire du 2N5550 est le 2N5400.

Version SMD du transistor 2N5550

Le KST5550 (SOT-23), MMBT5550 (SOT-23) et PMBT5550 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5550.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5550

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5550 par 2N5833, 2SC1009 ou KSC1009.
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