Transistor bipolaire 2N5550

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 250
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le 2N5550 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5550 est le 2N5400.Le KST5550 (SOT-23), MMBT5550 (SOT-23) et PMBT5550 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5550.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5550 par 2N5833, 2SC1009 ou KSC1009.