Transistor bipolaire 2SC1009G
Caractéristiques électriques du transistor 2SC1009G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
- Tension collecteur-base maximum: 160 V
- Tension émetteur-base maximum: 8 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
- Gain de courant (hfe): 200 à 400
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2SC1009G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SC1009G
Transistor 2SC1009G en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor 2SC1009G
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com