Transistor bipolaire MPS8099G

Caractéristiques électriques du transistor MPS8099G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPS8099G est la version sans plomb du transistor MPS8099

Brochage du MPS8099G

Le MPS8099G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor MPS8099G

Le 2SC3438 (SOT-89), FMMTA06 (SOT-23), KST06 (SOT-23), MMBTA06 (SOT-23), PMBTA06 (SOT-23), PZTA06 (SOT-223) et SMBTA06 (SOT-23) est la version SMD du transistor MPS8099G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS8099G

Vous pouvez remplacer le transistor MPS8099G par 2N5830, 2SC1009, BC538, KSC1009, KSP06, KSP8099, MPS8099, MPSA06, MPSA06G, MPSW06, MPSW06G, PN4033, ZTX454 ou ZTX455.
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