Transistor bipolaire MPS8099G
Caractéristiques électriques du transistor MPS8099G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 300
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPS8099G est la version sans plomb du transistor MPS8099
Brochage du MPS8099G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Version SMD du transistor MPS8099G
Substituts et équivalents pour le transistor MPS8099G
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