Transistor bipolaire MPS8099
Caractéristiques électriques du transistor MPS8099
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 300
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du MPS8099
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPS8099
Version SMD du transistor MPS8099
Substituts et équivalents pour le transistor MPS8099
Version sans plomb
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