Transistor bipolaire KSC1009O
Caractéristiques électriques du transistor KSC1009O
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
- Tension collecteur-base maximum: 160 V
- Tension émetteur-base maximum: 8 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
- Gain de courant (hfe): 70 à 140
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SC1009O transistor
Brochage du KSC1009O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSC1009O
Version SMD du transistor KSC1009O
Transistor KSC1009O en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KSC1009O
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com