Transistor bipolaire 2SA747

Caractéristiques électriques du transistor 2SA747

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 30
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SA747

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA747 peut n'être marqué que A747.

Complémentaire du transistor 2SA747

Le transistor NPN complémentaire du 2SA747 est le 2SC1116.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA747

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA747 par 2SA1007, 2SA1007-Q, 2SA1007-R, 2SA1007-S, 2SA1007-p, 2SA1007A, 2SA1007A-Q, 2SA1007A-R, 2SA1007A-S, 2SA1007A-p, 2SA1041, 2SA1043, 2SA1072, 2SA1072A, 2SA1073, 2SA679, 2SA679-R, 2SA679-Y, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB552-R, 2SB554, 2SB554-O, 2SB554-R, 2SB555, 2SB555-O, 2SB555-R, 2SB556, 2SB556-O, 2SB556-R, 2SB600, 2SB600-Q, 2SB600-R, 2SB600-S, 2SB697, 2SB697-C, 2SB697-D, 2SB697-E, 2SB697-F, 2SB697K, 2SB697K-C, 2SB697K-D, 2SB697K-E, 2SB697K-F, 2SB705, 2SB705-Q, 2SB705-R, 2SB705-S, 2SB705A, 2SB705A-Q, 2SB705A-R, 2SB705A-S, 2SB705B, 2SB705B-Q, 2SB705B-R, 2SB705B-S, 2SB706, 2SB706-Q, 2SB706-R, 2SB706-S, 2SB706A, 2SB706A-Q, 2SB706A-R, 2SB706A-S, 2SB722, 2SB723, 2SB723-A, 2SB723-B, 2SB723-C, BDX64C, BDX66C, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11017, MJ11019, MJ11033 ou MJ11033G.
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