Transistor bipolaire 2SA747A
Caractéristiques électriques du transistor 2SA747A
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
- Tension collecteur-base maximum: -140 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -10 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 30
- Fréquence de transition minimum: 15 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2SA747A
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA747A peut n'être marqué que
A747A.
Complémentaire du transistor 2SA747A
Le transistor
NPN complémentaire du 2SA747A est le
2SC1116A.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA747A
Vous pouvez remplacer le transistor 2SA747A par
2SA1007A,
2SA1007A-Q,
2SA1007A-R,
2SA1007A-S,
2SA1007A-p,
2SA1072A,
2SA1073,
2SA908,
2SA909,
2SB552-R,
2SB554,
2SB554-O,
2SB554-R,
2SB555,
2SB555-O,
2SB555-R,
2SB600,
2SB600-Q,
2SB600-R,
2SB600-S,
2SB697,
2SB697-C,
2SB697-D,
2SB697-E,
2SB697-F,
2SB697K,
2SB697K-C,
2SB697K-D,
2SB697K-E,
2SB697K-F,
2SB705,
2SB705-Q,
2SB705-R,
2SB705-S,
2SB705A,
2SB705A-Q,
2SB705A-R,
2SB705A-S,
2SB705B,
2SB705B-Q,
2SB705B-R,
2SB705B-S,
2SB706,
2SB706-Q,
2SB706-R,
2SB706-S,
2SB706A,
2SB706A-Q,
2SB706A-R,
2SB706A-S,
2SB722,
2SB723,
2SB723-A,
2SB723-B,
2SB723-C,
MJ11017,
MJ11019,
MJ11021 ou
MJ11021G.
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