Transistor bipolaire 2SA1007A-p
Caractéristiques électriques du transistor 2SA1007A-p
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
- Tension collecteur-base maximum: -150 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -10 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 160 à 320
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2SA1007A-p
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1007A-p
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