Transistor bipolaire 2SB722

Caractéristiques électriques du transistor 2SB722

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 50
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB722

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB722 peut n'être marqué que B722.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB722

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB722 par 2SB554-O, 2SB723-B, 2SB723-C, MJ11019, MJ11021 ou MJ11021G.
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