Transistor bipolaire 2SB705B

Caractéristiques électriques du transistor 2SB705B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 120 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 17 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB705B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB705B peut avoir un gain en courant continu de 40 à 200. Le gain en courant continu du 2SB705B-Q est compris entre 100 à 200, celui du 2SB705B-R entre 60 à 120, celui du 2SB705B-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB705B peut n'être marqué que B705B.

Complémentaire du transistor 2SB705B

Le transistor NPN complémentaire du 2SB705B est le 2SD745B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB705B

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB705B par 2SA909, 2SB600, 2SB697K, 2SB706, 2SB706A ou 2SB723.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com