Transistor bipolaire 2SB705-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB705-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
  • Tension collecteur-base maximum: -140 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 120 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 17 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB705-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB705-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB705 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB705-Q entre 100 à 200, celui du 2SB705-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB705-R peut n'être marqué que B705-R.

Complémentaire du transistor 2SB705-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB705-R est le 2SD745-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB705-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB705-R par 2SA1007A, 2SA1007A-R, 2SA1072A, 2SA1073, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB555, 2SB600, 2SB600-R, 2SB697, 2SB697-D, 2SB697K, 2SB697K-D, 2SB705A, 2SB705A-R, 2SB705B, 2SB705B-R, 2SB706, 2SB706-R, 2SB706A, 2SB706A-R, 2SB722, 2SB723, 2SB723-B, MJ15002, MJ15002G, MJ15004, MJ15004G, MJ15012 ou MJ15012G.
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