Bipolartransistor NTE219

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 115 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 70
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE219 ist der NTE130.Sie können den Transistor NTE219 durch einen 2N5879, 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6030, 2N6246, 2N6247, 2N6248, 2N6436, 2N6437, 2N6438, MJ14001, MJ14001G, MJ14003, MJ14003G, MJ15016, MJ15016G, MJ2955, MJ2955A oder MJ2955G ersetzen.