Bipolartransistor MJ15016G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ15016G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 180 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 70
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ15016G ist die bleifreie Version des MJ15016-Transistors

Pinbelegung des MJ15016G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ15016G ist der MJ15015G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ15016G

Sie können den Transistor MJ15016G durch einen 2N6030, 2N6438 oder MJ15016 ersetzen.
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