Bipolartransistor 2N5883G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5883G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -25 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N5883G ist die bleifreie Version des 2N5883-Transistors

Pinbelegung des 2N5883G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5883G ist der 2N5885G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5883G

Sie können den Transistor 2N5883G durch einen 2N5883, 2N5884, 2N5884G, MJ14001, MJ14001G, MJ14003 oder MJ14003G ersetzen.
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