Bipolartransistor 2N6030

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6030

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
Verlustleistung, max: 200 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6030

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6030 ist der 2N5630.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6030

Sie können den Transistor 2N6030 durch einen 2N6438 ersetzen.

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