Bipolartransistor MJ2955G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ2955G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 115 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 70
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ2955G ist die bleifreie Version des MJ2955-Transistors

Pinbelegung des MJ2955G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ2955G ist der 2N3055G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ2955G

Sie können den Transistor MJ2955G durch einen 2N5879, 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6030, 2N6246, 2N6247, 2N6248, 2N6436, 2N6437, 2N6438, MJ14001, MJ14001G, MJ14003, MJ14003G, MJ15016, MJ15016G, MJ2955, MJ2955A oder NTE219 ersetzen.
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