Bipolartransistor 2N5879

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5879

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 160 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5879

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5879 ist der 2N5881.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5879

Sie können den Transistor 2N5879 durch einen 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6246, 2N6247, 2N6248, MJ14001, MJ14001G, MJ14003 oder MJ14003G ersetzen.
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