Bipolartransistor MJ14001G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -60 A
• Verlustleistung, max: 300 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 100
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3
• Der MJ14001G ist die bleifreie Version des MJ14001-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ14001G ist der MJ14000G.Sie können den Transistor MJ14001G durch einen MJ14001, MJ14003 oder MJ14003G ersetzen.