Bipolartransistor 2N5883

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5883

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -25 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5883

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5883 ist der 2N5885.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5883

Sie können den Transistor 2N5883 durch einen 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, MJ14001, MJ14001G, MJ14003 oder MJ14003G ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N5883G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N5883.
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