Bipolartransistor BDX66A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX66A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX66A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDX66A ist der BDX67A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX66A

Sie können den Transistor BDX66A durch einen BDX66B, BDX66C, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ4031 oder MJ4032 ersetzen.
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