Elektrische Eigenschaften des Transistors BD376-16
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD376-16
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BD376-16 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD376 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD376-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD376-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD376-6 im Bereich von 40 bis 100.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum BD376-16 ist der BD375-16.
SMD-Version des Transistors BD376-16
Der 2DA1213 (SOT-89), 2SA1213 (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1123 (SOT-89) und 2SB766A (SOT-89) ist die SMD-Version des BD376-16-Transistors.