Bipolartransistor BD376-16

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD376-16

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD376-16

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD376-16 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD376 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD376-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD376-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD376-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD376-16 ist der BD375-16.

SMD-Version des Transistors BD376-16

Der 2DA1213 (SOT-89), 2SA1213 (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1123 (SOT-89) und 2SB766A (SOT-89) ist die SMD-Version des BD376-16-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD376-16

Sie können den Transistor BD376-16 durch einen 2SA1214, 2SB1142, 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, 2SB986, BD132, BD176, BD176-16, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD378-16, BD380, BD380-16, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE235 oder MJE252 ersetzen.
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