Bipolartransistor MJE171

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE171

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE171

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE171 ist der MJE181.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE171

Sie können den Transistor MJE171 durch einen BD178, BD180, BD180G, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSE171, KSE172, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE235, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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